专利摘要:
透過型微小機械デバイスが、基板と、基板の上の光学スタックと、光学スタックの上の可動膜とを含む。可動膜は、部分反射ミラーを含んでよく、第1の位置から第2の位置に動くように構成される。可動膜が第1の位置にあるとき、透過型微小機械デバイスは所定の色の光を通すように構成され、可動膜が第2の位置にあるとき、微小機械デバイスは基板上に入射する実質的にすべての光を遮断するように構成される。
公开号:JP2011515707A
申请号:JP2010549789
申请日:2009-03-02
公开日:2011-05-19
发明作者:カスラ・カゼニ;ジェフリー・ビー・サンプセル;スールヤプラカーシュ・ガンティ
申请人:クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド;
IPC主号:G02B26-02
专利说明:

[0001] 本発明の分野は、微小電気機械システム(「MEMS」)に関する。]
背景技術

[0002] 微小電気機械システム(MEMS)は、微小機械素子、アクチュエータ、および電子機器を含む。微小機械素子は、基板および/または堆積された材料層の部分をエッチングで除去するか、または層を追加して電気デバイスおよび電気機械デバイスを形成する堆積、エッチング、および/または他の微細機械加工プロセスを使用して生成されうる。1つの種類のMEMSデバイスは、干渉変調器と呼ばれる。本明細書の中で使用される干渉変調器または干渉光変調器との用語は、光の干渉の原理を使用して光を選択的に吸収および/または反射するデバイスを指す。ある実施形態において、干渉変調器は、一対の導電性プレートを含むことができ、一対の導電性プレートの一方または両方が、全体的にまたは部分的に透明および/または反射性であってよく、適切な電気信号の印加に対して関連する動きをすることができる。特定の実施形態において、一方のプレートは、基板の上に堆積された固定層を備えることができ、他方のプレートは、空隙で固定層から分離された可動膜を含むことができる。本明細書の中でより詳細に説明されるように、一方のプレートの、もう一方との相対的な位置は、干渉変調器に入射する光の光学的干渉を変えることができる。そのようなデバイスは広範な用途を有しており、それらの特徴が既存の製品を改良し、また未だ開発されていない新しい製品を生み出すのに利用されうるように、これらの種類のデバイスの特性を利用し、および/または改変することは、当業界にとって有益であろう。]
先行技術

[0003] 米国特許出願公開第2005/0157265号明細書
米国特許第5416514号明細書
米国特許第6870581号明細書
米国特許出願公開第2003/0081178号明細書]
課題を解決するための手段

[0004] 一態様において、透過型微小機械デバイスは、基板と、基板の上の光学スタックと、光学スタックの上の可動膜とを含み、可動膜が部分反射ミラーを含み、可動膜が第1の位置から第2の位置に動くように構成され、それにより、可動膜が第1の位置にあるとき、透過型微小機械デバイスが所定の色の光を通すように構成され、可動膜が第2の位置にあるとき、微小機械デバイスが基板上に入射する実質的にすべての光を遮断するように構成される。]
[0005] 別の態様において、透過型機械デバイスは、間隙で選択可能に離隔された第1の光学スタックおよび第2の光学スタックを含み、第1の光学スタックが、実質的に透明な基板と、少なくとも1つの低屈折率層と、少なくとも1つの高屈折率層とを含み、第2の光学スタックが、実質的に透明な基板と、少なくとも1つの低屈折率層と、少なくとも1つの高屈折率層とを含む。]
[0006] 別の態様において、透過型機械デバイスは、間隙で離隔された第1の光学スタックおよび第2の光学スタックを含み、第1の光学スタックが、ガラス基板と、2より大きい屈折率を有する少なくとも1つの材料と、1.3より小さい屈折率を有する少なくとも1つの材料とを含み、第2の光学スタックが、2より大きい屈折率を有する少なくとも1つの材料と、1.3より小さい屈折率を有する少なくとも1つの材料とを含む。]
[0007] 別の態様において、透過型干渉変調器は、透明基板と、透明基板上の第1の反射面と、可動膜上に配設された第2の反射面とを含み、それにより、第2の反射面および第1の反射面が可変光キャビティを形成する。]
[0008] 別の態様において、透過型干渉変調器(「IMOD」)は、透明基板と、透明基板上に配設された第1の反射面と、可動膜上の第2の反射面とを含み、それにより、第2の反射面および第1の反射面が可変光キャビティを形成し、干渉変調器が、第1の位置に配設された第1の反射面により、所定の色の光を通すように構成され、半導体層が、第2の位置に配設された第1の反射面により、基板上に入射する実質的にすべての可視光を吸収するように構成される。]
図面の簡単な説明

[0009] 第1の干渉変調器の可動反射層が弛緩位置にあり、第2の干渉変調器の可動反射層が駆動位置にある例示的干渉変調器ディスプレイの一部を示す等角図である。
3×3干渉変調器ディスプレイを組み込む例示的電子デバイスを示すシステムブロック図である。
図1の干渉変調器の例示的実施に対する、可動ミラーの位置対印加電圧の線図である。
干渉変調器ディスプレイを駆動するために使用されうる、一組の行と列の電圧を示す表である。
図2の3×3干渉変調器ディスプレイにおける、ディスプレイデータのフレームの一例を示す図である。
図5Aのフレームを書き込むために使用されうる、行と列の信号に対するタイミング図の一例を示す図である。
複数の干渉変調器を備える例示的画像表示デバイスのシステムブロック図である。
複数の干渉変調器を備える例示的画像表示デバイスのシステムブロック図である。
図1のデバイスの断面図である。
代替の干渉変調器の断面図である。
他の代替の干渉変調器の断面図である。
他の代替の干渉変調器の断面図である。
他の代替の干渉変調器の断面図である。
透過型干渉変調器の一実施形態の略図である。
図8の干渉変調器が明状態にあるときの、ある波長範囲にわたる、図8の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
図8の干渉変調器が暗状態にあるときの、ある波長範囲にわたる、図8の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
空隙で離隔された2つの光学スタックであって、各光学スタックが基板層と、銀層と、SiO2層とを含む、2つの光学スタックを含む透過型干渉変調器の他の実施形態の図である。
空隙がおよそ3000Åであるときの、図10の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
空隙がおよそ250Åであるときの、図10の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
空隙がおよそ150Åであるときの、図10の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
図10の実施形態に対するシミュレーションされたカラースペクトルを示すカラープロットである。
空隙がおよそ3000Åであるときの、20nmの厚さの銀を有する図10の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
空隙がおよそ250Åであるときの、20nmの厚さの銀を有する図10の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
空隙がおよそ150Åであるときの、20nmの厚さの銀を有する図10の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
20nmの厚さの銀を有する図10の実施形態に対する、シミュレーションされたカラースペクトルを示すカラープロットである。
空隙で離隔された2つの光学スタックであって、各光学スタックが基板層と、SiC層およびMgF2が交互に重なった層とを含む、2つの光学スタックを含む透過型干渉変調器の他の実施形態の図である。
空隙がおよそ2000Åであるときの、図13の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
空隙がおよそ1000Åであるときの、図13の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
空隙がおよそ500Åであるときの、図13の干渉変調器のシミュレーションされた透過率を示すグラフである。
図13の実施形態に対するシミュレーションされたカラースペクトルを示すカラープロットである。
IMODデバイスを組み込む透過型投写システムの側面図である。
3つのIMODデバイスを組み込む透過型投写システムの上面図である。
IMODデバイスを組み込む反射型投写システムの上面図である。
IMODデバイスを組み込む反射型投写システムの上面図である。
光結合の中で使用される構成の1種類の等角投写図である。
光結合の中で使用される構成の1種類の上面図である。
光結合の中で使用される構成の1種類の側面図である。
光結合の中で使用される構成の1種類の上面図である。
誘電体ミラーを有する、図7A〜図7Eに示されるものと類似の構成の干渉変調器の一実施形態の側面断面図である。
表に吸収性黒色マスクを、裏に反射性黒色マスクを有するディスプレイの一実施形態の側面断面図である。
光誘導板と、角度転換フィルムと、光を平行にして再利用に役立つフィルムと、反射器とを含むバックライトを示す一実施形態の側面断面図である。
画素配置を示す上面図である。] 図1 図10 図13 図2 図5A 図7A 図7B 図7C 図7D 図7E
実施例

[0010] 以下の詳細な説明は、ある特定の実施形態に関するが、本明細書における教示は、多くの異なる方法において適用されうる。この説明において、全体を通して同じ部品が同じ数字で表される図面が参照される。以下の説明から明らかとなるように、実施形態は、動的(例えば、映像)、または静的(例えば、静止画像)、ならびに文書または図形で画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実施されうる。より詳細には、実施形態は、携帯電話、無線デバイス、携帯情報端末(PDA)、ハンドヘルドまたは携帯コンピュータ、GPS受信機/ナビゲータ、カメラ、MP3プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、時計、電卓、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車用ディスプレイ(例えば、オドメータディスプレイなど)、コックピットの制御機器および/またはディスプレイ、カメラ視野のディスプレイ(例えば、車両内の後方視野カメラのディスプレイ)、電子写真、電子広告板または看板、プロジェクタ、建築物、パッケージング、ならびに美的構造(例えば、1個の宝石の上への画像のディスプレイ)などであるがそれらに限定されない、多様な電子デバイスの中で、またはそれらに付随して、実施されうることが企図されている。また、本明細書で説明されるものと同様の構造のMEMSデバイスが、電子スイッチングデバイスなど、非表示用途において使用されうる。]
[0011] 以下に説明するような、特定の実施形態は、透過型バックライト付き干渉変調器ディスプレイを提供する。一実施形態において、バックライト付きディスプレイは、バックライトおよび透過型干渉変調器(IMOD)配列を含む。各干渉変調器は、固定光学スタックおよび可動光学スタックを含む。弛緩状態において、干渉変調器は、所望の波長範囲内の光を透過させる一方で、残りの光の少なくとも一部を反射する。駆動状態において、干渉変調器は、所望の波長範囲内の実質的にすべての光が吸収されるように(例えば、いくつかの実施形態において、少なくとも10:1の透過状態と吸収状態との間のコントラスト比の状態に)させる。そのような透過型IMODは、図1〜図7に関して説明される反射型IMODのある態様を利用することができる。] 図1 図10 図11A 図11B 図11C 図11D 図12A 図12B 図12C 図12D
[0012] 干渉計MEMSディスプレイ素子を備える1つの反射型干渉変調器(IMOD)ディスプレイが、図1に示される。これらのデバイスにおいて、画素は、明状態か暗状態のいずれかにある。明(「オン」または「開」)状態において、ディスプレイ素子は、大部分の入射可視光をユーザに向けて反射する。暗(「オフ」または「閉」)状態において、ディスプレイ素子は、入射可視光をユーザに向けて、ほとんど反射しない。実施形態によっては、「オン」および「オフ」状態の光の反射特性が、反対となりうる。MEMS画素は、選択された色において顕著に反射し、白黒に加えてカラーディスプレイを可能にするように構成されうる。] 図1
[0013] 図1は、画像表示の一連の画素の中の、隣り合う2つの画素を示す等角図であり、各画素はMEMS干渉変調器を備える。いくつかの実施形態において、干渉変調器ディスプレイは、干渉変調器の行/列配列を含み、2つのそのようなIMODは、図1に示す種類である。各干渉変調器は、少なくとも1つの可変寸法を有する共鳴光学間隙を形成するために、可変で制御可能な相互間距離に配置された、少なくとも1対の反射層(または層のスタック)を含む。例えば、反射層のうちの一方は、2位置の間を移動することができる。本明細書において弛緩位置と呼ばれる第1の位置において、可動反射層は、固定された部分反射層から比較的大きな距離をおいて配置される。本明細書において駆動位置と呼ばれる第2の位置において、可動反射層は、固定された部分反射層に、より密接に隣接して配置される。2つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置により、強め合うように、または弱め合うように干渉し、各画素の全反射または非反射のいずれかの状態を生み出す。] 図1
[0014] 図1における画素アレイの図示された部分は、2つの隣接する反射型干渉変調器12aおよび12bを含む。左の干渉変調器12aにおいて、可動反射層14aが、部分反射層を含む光学スタック16aから所定の距離にある弛緩位置において図示されている。右の干渉変調器12bにおいて、可動反射層14bが、光学スタック16bに隣接する駆動位置において図示されている。] 図1
[0015] 光学スタック16aおよび16b(まとめて、光学スタック16と呼ばれる)は、本明細書において参照されるように、インジウムスズ酸化物(ITO)などの電極層および1つまたは複数の光層を含むことができるいくつかの融合層と、クロム(吸収剤)などの部分反射層と、透明な誘電体とを含むことができる。したがって、光学スタック16は、導電性であり、例えば、上の層のうちの1つまたは複数を透明基板20の上に堆積させることにより作製されうる。部分反射層は、様々な金属、半導体、および誘電体など、部分反射性を有する多様な材料から形成されうる。部分反射層は、1つまたは複数の材料の層から形成されてよく、層のうちのそれぞれは、単一の材料または材料の組合せから形成されてよい。]
[0016] 光学スタック16の層が、平行なストリップにパターン化されてよく、以下にさらに説明されるように、ディスプレイデバイスの中で行電極を形成することができる。可動反射層14a、14bは、柱18、および柱18の間に堆積された介在犠牲材料の頂部に堆積された、(16a、16bの行電極に直交する)1つまたは複数の堆積金属層の、一連の平行なストリップとして形成されうる。犠牲材料がエッチングで除去されると、可動反射層14a、14bが、光学スタック16a、16bから、画定された隙間19だけ離隔される。アルミニウムのような、高度に導電性で反射性の材料が、反射層14のために使用されてよく、これらのストリップは、ディスプレイデバイスの中で列電極を形成することができる。]
[0017] 電圧が印加されない状態で、図1における画素12aで示されるように、隙間19は、可動反射層14aと光学スタック16aとの間に留まり、可動反射層14aは機械的に弛緩状態にある。しかし、電位差が選択された行および列に印加されると、対応する画素における行電極と列電極の交点に形成されたキャパシタが帯電し、静電力が、電極を共に引っ張る。電圧が十分に高い場合は、可動反射層14が変形され、光学スタック16に押しつけられる。図1の右の画素12bで示されるように、光学スタック16内の誘電体層(この図に図示せず)は、層14と層16との間の短絡を防ぎ、分離距離を制御することができる。挙動は、印加された電位差の極性にかかわらず、同じである。このようにして、反射対非反射の画素状態を制御できる行/列駆動は、従来のLCDおよび他のディスプレイ技術において使用される駆動と、多くの点で類似する。] 図1
[0018] 図2〜図5Bは、ディスプレイ用途における干渉変調器アレイの使用に対する、プロセスおよびシステムの一例を示す。] 図2 図3 図4 図5A 図5B
[0019] 図2は、本明細書の中の教示態様を組み込むことができる電子デバイスの一例を示すシステムブロック図である。電子デバイスは、ARM、Pentium(登録商標)、Pentium II(登録商標)、Pentium III(登録商標)、Pentium IV(登録商標)、Pentium(登録商標) Pro、8051、MIPS(登録商標)、Power PC(登録商標)、ALPHA(登録商標)など、任意の汎用のシングルチップまたはマルチチップのマイクロプロセッサ、あるいは、ディジタルシグナルプロセッサ、マイクロコントローラ、またはプログラマブルゲートアレイなど、任意の専用のマイクロプロセッサであってよい、プロセッサ21を含むことができる。当業界において一般的に、プロセッサ21は、1つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成されうる。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話用途、Eメールプログラム、または任意の他のソフトウェアアプリケーションを含む1つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されうる。] 図2
[0020] 一実施形態において、プロセッサ21はまた、配列ドライバ22と通じるように構成されうる。配列ドライバ22は、信号をディスプレイ配列すなわちパネル30に供給する、行ドライバ回路24および列ドライバ回路26を含むことができる。図1に示されるアレイの断面が、図2の線1−1で示される。MEMS干渉変調器に対して、行/列駆動プロトコルは、図3に示されるような、これらのデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。これらのデバイスは、可動層を弛緩状態から駆動状態に変形させるために、例えば10ボルトの電位差を必要とすることがある。しかし、電圧がその値から低減される場合、電圧が10ボルト未満下降して戻るのに、可動層はその状態を維持する。図3において、可動層は、電圧が2ボルト未満に下降するまでは、完全には弛緩しない。したがって、図3に示される実施形態において約3〜7Vの範囲であって、その範囲内において、デバイスが弛緩状態または被駆動状態のいずれかで安定である、印加電圧のウィンドウが存在する。これは、本明細書において「ヒステリシスウィンドウ」または「安定性ウィンドウ」と呼ばれる。図3のヒステリシス特性を有するディスプレイ配列に対して、行/列駆動プロトコルが行をストローブする間、駆動されるべき、ストローブされた行の画素が、約10ボルトの電圧差を受け、弛緩されるべき画素が、ゼロボルトに近い電圧差を受ける。ストローブの後、画素が、行ストローブが画素にならしめる何らかの状態に留まるように、画素は、約5ボルトの定常状態電圧差を受ける。書き込まれた後、各画素は、電位差を、この例では3〜7ボルトの「安定性ウィンドウ」の中に見る。この特徴は、被駆動状態、または事前の弛緩状態のいずれかにおいて、同じ印加電圧条件の下で、図1に示される画素設計を安定にする。干渉変調器の各画素は、被駆動状態であれ、弛緩状態であれ、固定および移動の反射層で形成されたキャパシタであると考えられるので、この安定状態は、ヒステリシスウィンドウの中の電圧で、電力をほとんど消費することなく保つことができる。印加される電位が固定されるならば、電流は画素に全く(または、ほとんど)流れ込まない。] 図1 図2 図3
[0021] いくつかの用途において、ディスプレイフレームが、第1の行の中の駆動画素の所望のセットに従って、列電極のセットをアサートすることにより生成されうる。次いで、行パルスが行1の電極に印加され、アサートされた列ラインに対応する画素を駆動する。次いで、アサートされた列電極のセットが、第2の行の中の被駆動画素の所望のセットに対応するように変更される。次いで、パルスが行2の電極に印加され、アサートされた列電極に従って、行2の中の適切な画素を駆動する。行1の画素は、行2のパルスの影響を受けず、行1のパルスの間にそれらの画素が設定された状態に留まる。このことが、フレームを作成するために、すべての連続する行に対して連続的に繰り返されうる。一般に、フレームは、このプロセスを毎秒所望のフレーム数で絶え間なく繰り返すことにより、新しい画像データでリフレッシュおよび/またはアップデートされる。画像フレームを作成するために、画素配列の行および列の電極を駆動するための広範なプロトコルが、また、よく知られている、本発明とともに使用されうる。]
[0022] 図4、図5Aおよび図5Bは、図2の3×3配列のディスプレイフレームを生成する、1つの可能な駆動プロトコルを示す。図4は、図3のヒステリシス曲線を提示する画素のために使用されうる、列および行の電圧レベルの可能なセットを示す。図4において、画素の駆動は、適切な列を−Vbiasに、適切な行を+ΔVに設定することを伴い、それらは、それぞれ、−5ボルトおよび+5ボルトに対応することができる。画素の弛緩は、適切な列を+Vbiasに、適切な行を同じ+ΔVに設定し、画素の両端にゼロボルトの電位差を生み出すことにより、達成される。行電圧がゼロボルトに保持される、それらの行において、画素は、列が+Vbiasであるか−Vbiasであるかにかかわらず、それらが元々あった状態が何であれ、安定である。やはり図4に示されるように、上述のものとは反対の極性の電圧が使用されてよく、例えば、画素を駆動することは、適切な列を+Vbiasに、適切な行を−ΔVに設定することを伴うことができる。この実施形態において、画素の弛緩は、適切な列を−Vbiasに、適切な行を同じ−ΔVに設定し、画素の両端にゼロボルトの電位差を生み出すことにより達成される。] 図2 図3 図4 図5A 図5B
[0023] 図5Bは、図2の3×3配列に印加される一連の行および列の信号を示すタイミング図であり、それは、駆動画素が非反射となる図5Aに示されるディスプレイ配置を結果としてもたらす。図5Aに示されるフレームを書き込む前に、画素は任意の状態にあってよく、この例では、すべての行が0ボルトであり、すべての列が+5ボルトである。これらの印加電圧により、すべての画素が、それらが存在する被駆動状態、または弛緩状態において安定である。] 図2 図5A 図5B
[0024] 図5Aのフレームにおいて、画素(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)および(3,3)が駆動される。これを達成するために、行1に対する「ライン時間」の間、列1および列2が−5ボルトに設定され、列3が+5ボルトに設定される。これは、全画素が3〜7ボルトの安定性ウィンドウの中に留まるため、いかなる画素の状態をも変化させない。次いで、行1が、0から5ボルトまで行き、そしてゼロに戻るパルスで、ストローブされる。これが、(1,1)および(1,2)の画素を駆動し、(1,3)の画素を弛緩させる。アレイの中の他の画素は、どれも影響されない。行2を所望に設定するために、列2が−5ボルトに設定され、列1および列3が+5ボルトに設定される。次いで、行2に印加された同じストローブが、画素(2,2)を駆動し、画素(2,1)および(2,3)を弛緩させる。再び、配列の他の画素は、どれも影響されない。行3は、列2および列3を−5ボルトに、列1を+5ボルトに設定することにより、同様に設定される。行3のストローブが、図5Aに示されるように、行3の画素を設定する。フレームを書き込んだ後、行電位がゼロであり、列電位が+5ボルトか−5ボルトのいずれかに留まってよく、表示は、したがって、図5Aの配置で安定である。同じ手順が、数十または数百の行と列のアレイに対して使用されうる。行および列の駆動を実施するために使用される電圧のタイミング、順序、およびレベルは、上述の一般的な原理の範囲内で幅広く変更することができ、上の例は、例としてのみであり、任意の駆動電圧の方法が、本明細書で説明されるシステムおよび方法とともに使用されうる。] 図5A
[0025] 図6Aおよび図6Bは、例示的ディスプレイデバイス40を示すシステムのブロック図である。ディスプレイデバイス40は、例えば、携帯電話または移動電話であってよい。しかし、ディスプレイデバイス40と同じコンポーネント、またはそれがわずかに変更された形態のものが、やはり、テレビおよび携帯型メディアプレーヤなど、様々な種類のディスプレイデバイスの実例となる。] 図6A 図6B
[0026] ディスプレイデバイス40は、ハウジング41、ディスプレイ30、アンテナ43、スピーカ45、入力デバイス48、およびマイクロフォン46を含む。ハウジング41は、一般に、射出成形、および真空成形を含む、多様な製造プロセスのうちのいずれかで形成される。さらに、ハウジング41は、プラスティック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組合せを含むが、それらに限定されない、多様な材料のうちのいずれかで作製されうる。一実施形態においてハウジング41は、異なる色の、あるいは異なるロゴ、絵、またはシンボルを含む、他の取り外し可能な部分と交換されうる、取り替え可能な部分(図示せず)を含む。]
[0027] 例示的ディスプレイデバイス40のディスプレイ30は、本明細書で説明されるように、双安定ディスプレイを含む多様なディスプレイのうちのいずれかであってよい。他の実施形態において、ディスプレイ30は、上述のように、プラズマ、EL、OLED、STN LCD、またはTFT LCDなど、フラットパネルディスプレイ、あるいはCRTまたは他のチューブデバイスなど、非フラットパネルディスプレイを含む。しかし、説明を目的として、ディスプレイ30は、本明細書で説明されるような、干渉変調器ディスプレイを含む。]
[0028] 例示的ディスプレイデバイス40のコンポーネントが、図6Bに、概略的に示される。示された例示的ディスプレイデバイス40は、ハウジング41を含み、本明細書に少なくとも部分的には包含される追加のコンポーネントを含むことができる。例えば、例示的ディスプレイデバイス40は、トランシーバ47と結合されるアンテナ43を含むネットワークインターフェース27を含む。トランシーバ47は、調整ハードウェア52に接続されるプロセッサ21に接続される。調整ハードウェア52は、信号を調整する(例えば、信号にフィルタをかける)ように構成されうる。調整ハードウェア52は、スピーカ45およびマイクロフォン46に接続される。プロセッサ21はまた、入力デバイス48およびドライバコントローラ29に接続される。ドライバコントローラ29は、フレームバッファ28および配列ドライバ22と結合され、そのことで、結果として、ディスプレイ配列30と結合される。電源50は、特別な例示的ディスプレイデバイス40の設計の中に含まれる、すべてのコンポーネントに電力を供給する。] 図6B
[0029] ネットワークインターフェース27は、例示的ディスプレイデバイス40が、ネットワーク上で1つまたは複数のデバイスと通じることができるように、アンテナ43およびトランシーバ47を含む。ネットワークインターフェース27はまた、プロセッサ21への要求を緩和するために、何らかの処理能力を有することができる。アンテナ43は、信号を送受信するための任意のアンテナである。一例において、アンテナは、IEEE 802.11(a)、(b)、または(g)を含む、IEEE 802.11規格によるRF信号を、送信および受信する。他の例において、アンテナは、BLUETOOTH規格によるRF信号を、送信および受信する。携帯電話の場合、アンテナは、CDMA、GSM、AMPS、または、無線セルフォンネットワークの中で通信するために使用される、他の知られている信号を受信するように設計される。トランシーバ47は、アンテナ43から受信した信号を前処理し、それにより、その信号はプロセッサ21で受信され、さらに処理されうる。トランシーバ47はまた、プロセッサ21から受信された信号を処理し、それにより、その信号は、アンテナ43を介して例示的ディスプレイデバイス40から送信されうる。]
[0030] 代替の実施形態において、トランシーバ47が、受信機で置き換えられうる。他の代替の例において、ネットワークインターフェース27が、プロセッサ21へ送られるべき画像データを格納または生成可能な、画像ソースで置き換えられうる。例えば、画像ソースは、画像データを含むディジタルビデオディスク(DVD)またはハードディスクドライブ、あるいは画像データを生成するソフトウェアモジュールであってよい。]
[0031] プロセッサ21は、一般に、例示的ディスプレイデバイス40の全体的動作を制御する。プロセッサ21は、ネットワークインターフェース27または画像ソースからの圧縮された画像データなどのデータを受け、そのデータを処理して、生の画像データ、または生の画像データに容易に処理されるフォーマットにする。次いで、プロセッサ21は、処理されたデータをドライバコントローラ29または格納のためのフレームバッファ28に送る。生のデータは、画像の中の各位置における画像特性を同定する情報を意味する。例えば、そのような画像特性は、色彩、彩度、およびグレースケールレベルを含むことができる。]
[0032] 一例において、プロセッサ21は、例示的ディスプレイデバイス40の動作を制御するために、マイクロコントローラ、CPU、または論理ユニットを含む。調整ハードウェア52は、一般に、スピーカ45に信号を送るため、およびマイクロフォン46から信号を受けるために、増幅器およびフィルタを含む。調整ハードウェア52は、例示的ディスプレイデバイス40の中の別々のコンポーネントであってよく、またはプロセッサ21または他のコンポーネントの中に組み込まれてよい。]
[0033] ドライバコントローラ29は、プロセッサ21で生成された生の画像データを、直接プロセッサ21から、またはフレームバッファ28からのいずれかから取り出し、その生の画像データを、配列ドライバ22への高速送信に適するように再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ29は、生の画像データを、ラスタ状のフォーマットを有するデータフローに再フォーマットし、それにより、そのデータフローは、ディスプレイ配列30にわたって走査するのに適する時間順序を有する。次いで、ドライバコントローラ29は、フォーマットされた情報を配列ドライバ22に送る。LCDコントローラなどのドライバコントローラ29は、多くの場合、スタンドアローンの集積回路(IC)としてシステムプロセッサ21に付随するが、そのようなコントローラは、多くの方法で実施されうる。ドライバコントローラ29は、ハードウェアとしてプロセッサ21に埋め込まれうるか、ソフトウェアとしてプロセッサ21に埋め込まれうるか、または配列ドライバ22とともにハードウェアの中に完全に一体化されうる。]
[0034] アレイドライバ22は、ドライバコントローラ29からフォーマットされた情報を受け、ビデオデータを、ディスプレイの画素のx−yマトリックスから来る数百ときには数千のリード線に毎秒多数回加えられる、平行な波形のセットに再フォーマットする。]
[0035] 一例において、ドライバコントローラ29、アレイドライバ22、およびディスプレイ配列30が、本明細書で説明されるディスプレイの任意の種類に対して適切である。例えば、ドライバコントローラ29は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ(例えば、干渉変調器コントローラ)である。他の例において、配列ドライバ22は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ(例えば、干渉変調器ディスプレイ)である。ドライバコントローラ29は、配列ドライバ22と一体化されうる。そのようなドライバコントローラは、セル式電話、時計、および他の小面積ディスプレイなど、高度に集積化されたシステムにおいて一般的である。他の例において、ディスプレイ配列30は、ディスプレイ配列または双安定ディスプレイ配列(例えば、干渉変調器の配列を含むディスプレイ)である。]
[0036] 入力デバイス48により、ユーザが、例示的ディスプレイデバイス40の動作を制御することを可能となる。入力デバイス48は、QWERTYキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッドと、ボタンと、スイッチと、タッチスクリーンと、圧力感知膜または熱感知膜とを含む。一例において、マイクロフォン46は、例示的ディスプレイデバイス40のための入力デバイスである。マイクロフォン46がデバイスにデータを入力するために使用されるとき、ユーザにより、ボイスコマンドが、例示的ディスプレイデバイス40の動作を制御するために供給されうる。]
[0037] 電源50は、当業界でよく知られているような多様なエネルギー貯蔵デバイスを含むことができる。例えば、電源50は、ニッケル−カドミウム電池またはリチウムイオン電池など、再充電可能電池であってよい。他の例において、電源50は、プラスティック太陽電池および太陽電池塗料を含む、再生可能なエネルギーソース、キャパシタ、または太陽電池である。他の例において、電源50は、壁のコンセントから電力を受けるように構成される。]
[0038] いくつかの例において、制御のプログラム可能性は、上述のように、電子ディスプレイシステムの中のいくつかの場所に配置されうる、ドライバコントローラの中に存在する。いくつかの例において、制御のプログラム可能性は、配列ドライバ22の中に存在する。上述の最適化は、任意の数のハードウェアおよび/またはソフトウェアコンポーネント、ならびに様々な形態において実施されうる。]
[0039] 上で説明した原理により動作する干渉変調器の構造の詳細は、幅広く変更することができる。例えば、図7A〜図7Eは、可動反射層14およびその支持構造の、5つの異なる実施形態を示す。図7Aは、図1の断面図であり、金属材料14のストリップが、直交して延びる支持体18の上に堆積される。図7Bにおいて、可動反射層14は、コーナーだけにおいてテザー32で支持体に取り付けられている。図7Cにおいて、可動反射層14は、柔軟性金属を含んでよい変形可能層34からつり下げられている。変形可能層34は、変形可能層34の周囲の周りで、基板20と直接または間接的に接触する。これらの接続部は、本明細書において、支柱と呼ばれる。図7Dは、変形可能層34が載る支柱プラグ42を示す。可動反射層14は、図7A〜図7Cにおけるように、隙間の上につり下げられたままであるが、変形可能層34は、変形可能層34と光学スタック16との間の穴を埋めることにより、支柱を形成しない。むしろ、支柱は、支柱プラグ42を形成するために使用される、平坦化材料から形成される。図7Eに示されるデバイスは、図7Dに基づくが、また、図7A〜図7Cに示される変化のうちの任意のものとともに機能するようになされうる。図7Eに示されるように、金属または他の導電性材料の追加の層が、バス構造44を形成するために使用されてきた。これは、信号が干渉変調器の背部に沿って通ることを可能にし、そうでなければ基板20の上に形成されなければならなかった多くの電極を省略する。] 図1 図7A 図7B 図7C 図7D 図7E
[0040] 図7に示されるように、干渉変調器は、変換器が整列される面と反対の面である透明な基板20の前面から画像が見られる直視型デバイスとして機能することができる。これらの例において、反射層14は、変形可能層34を含めて、基板20の反対の反射層の面上の干渉変調器の部分を光学的にシールドする。このことが、画像品質に悪い影響を与えることなく、シールドされた領域が構成され、動作することを可能にする。このようにシールドすることによって、変換器の光学的特性を、アドレス指定およびそのアドレス指定に起因する動きなど、変換器の電子機械的特性から分離する能力を提供する、図7Eのバス構造44が可能となる。この分離可能な変換器構成により、変換器の電子機械的態様および光学的態様に対して使用される構造設計および材料が、互いに独立して選択され、機能することが可能となる。さらに、図7C〜図7Eに示される例は、変形可能層34で実施される反射層14の光学的特性をその機械的特性から切り離すことによって得られる、付加的な利点を有する。これによち、反射層14に使用される構造設計および材料を光学的特性に関して最適化すること、ならびに、変形可能層34に使用される構造設計および材料を所望の機械的特性に関して最適化することが可能となる。] 図7C 図7D 図7E
[0041] いくつかの用途は、暗い周囲照明の条件で良好に視認されうる大きなディスプレイ(例えば、テレビまたはマルチメディア用途の約14インチ×16インチを超える大きな長方形ディスプレイ)を含むことができる。そのような用途に対して、反射型ディスプレイはフロントライトを含んでよく、反射型ディスプレイのフロントライト性能は、大きな対角線のスクリーンに適用されるとき、(例えば、ディスプレイ全体に均一な配光ができないために)悪化することがあるため、図1〜図7に関して上で説明したような反射型ディスプレイは、うまく機能しない可能性がある。フロントライトを反射型の干渉変調器ディスプレイに適用する様々な方法があるが、そのようなフロントライトは不十分であり、知覚されるディスプレイ性能を低下させる可能性がある。] 図1 図10 図11A 図11B 図11C 図11D 図12A 図12B 図12C 図12D
[0042] 以下に説明される特定の実施形態は、透過型バックライト付き干渉変調器または複数の干渉変調器構造を備えるバックライト付き干渉変調器ディスプレイを提供する。一実施形態において、バックライト付きディスプレイは、バックライトおよび透過型干渉変調器構造のアレイを含み、各干渉変調器は固定および移動の光学スタックを備える。透過型干渉変調器は、所望の波長範囲内の光を透過させる一方で、残りの光の少なくとも一部分を吸収する。透過型干渉変調器ディスプレイに関する実施形態は、図1〜図7Eに関して上で説明されたようなディスプレイ用途において組み込まれうる。] 図1 図2 図3 図4 図5A 図5B 図6A 図6B 図7A 図7B
[0043] 透過型干渉変調器54内の光学フィルムのスタックの一実施形態が、図8に示される。図1〜図7に示されるような光学フィルムが組み込まれたMEMS構造は、分かりやすくするために示していない。図8は、間隙62(例えば、空隙、部分的真空、誘電体流体、または他のガスなど)で離隔された、固定光学スタック(固定透過層)55および移動光学スタック(移動透過層)57を備える透過型干渉変調器54の断面図である。図8に示されるように、固定光学スタック55は、ガラスおよび35nmの銀層60Aを含むことができる透明基板56Aを含む。移動光学スタック57は、35nmの銀層60Bと、透明電極層58と、透明基板層56Bとを含み、該透明基板層56Bは、透明基板56Aのようにガラスを含んでよい。] 図1 図10 図11A 図11B 図11C 図11D 図12A 図12B 図12C 図12D
[0044] 動作において、透過型干渉変調器ディスプレイの画素は、明状態または暗状態のいずれかにある。ディスプレイ素子を照射する光源およびディスプレイ素子のユーザ(図示せず)は、ディスプレイ素子と異なる側に位置し得る。明(「オン」または「開」)状態において、ディスプレイ素子は、所望の波長範囲の中で、入射可視光の大部分をユーザに対して透過する。暗(「オフ」または「閉」)状態では、ディスプレイ素子は、実質的にすべての光をユーザに対して遮断する。本実施形態によれば、「オン」状態および「オフ」状態の光透過特性は、反転されうる。いくつかの実施形態において、MEMS画素は、白黒に加えてカラーディスプレイを可能にするために、大部分、選択された色で透過するように構成される。]
[0045] いくつかの実施形態において、干渉変調器ディスプレイは、これらの透過型干渉変調器の行/列配列を含む。各干渉変調器は、可変で制御可能な相互間隔で配置された一対の透過層を含み、少なくとも1つの可変寸法を有する共鳴光学間隙を形成する。一実施形態において、透過層の一方が、2位置間を移動することができる。本明細書の中で弛緩位置と呼ばれる第1の位置では、可動透過層が、固定透過層から比較的大きな間隔で配置される。本明細書の中で駆動位置と呼ばれる第2の位置では、可動透過層が、固定透過層に、より密に隣接して配置される。2層を通して透過する入射光は、固定層と可動層との間の間隙の高さに応じて強め合うように、または弱め合うように干渉し、所望の波長範囲内で各画素に対して全透過状態または非透過状態のいずれかを作り出す。画素は、透過状態において、特定の波長範囲の光を通し、非透過状態において、同じ波長範囲にわたって実質的にすべての可視光を遮断する。ある実施形態において、可動透過層は、弛緩位置および駆動位置とは別の第3の位置まで動くことができる。]
[0046] 透過型干渉変調器54において、弛緩位置にある可動透過層57は、固定透過層55から所定の間隔にある。本明細書の中で参照されるように、透過層55および57は、様々な誘電体および/または透明な導電性酸化物(例えば、ITO)など、部分的に透明である様々な材料から形成されうる。実施形態によっては、透過層55および57は、透明な誘電体から形成される。]
[0047] 透過層55および57は、静電駆動をもたらす電極と動作可能に結合され、透過層55および57の間の間隔が変更される。いくつかの実施形態において、透過層55および57が、電極が透過層55および57を取り囲むリング形電極(図示せず)に、動作可能に接続される。例えば、図7Bに示される実施形態に類似する一実施形態において、可動素子14が、画素の中央に透過層55および57を含むことができ、一方で、柱近くのリング形電極が静電駆動をもたらす。電極は、導電性材料、例えば、金属または金属酸化物を含むことができる。電極が静電力のもとで互いに引き合うように、電極を類似して成形し、互いに整列することができる。例示的実施形態において、ディスプレイは、実質的に透明な基板の、(視認者に対して)背面上に堆積された干渉変調器アレイを含む。] 図7B
[0048] 一実施形態において、電極は、導電性材料、例えば、光を吸収する金属または金属酸化物を含む。電極は、実質的に透明な金属または金属酸化物、例えば、酸化亜鉛またはITOを含むことができる。電極が静電力のもとで互いに引き合うように、電極を類似して成形し、互いに整列することができる。電極は、透過層を通して透過される光が、電極で取り囲まれた中央の透過部を通過することができるように、リング形であってよい。中央の透過部は、1つの例示的透過型干渉変調器の、光学的に活性な領域を画定し、その領域は、入射光が可動および固定の透過層で干渉法により変調される干渉変調器の領域である。干渉変調器ディスプレイの残りの部分は、非活性領域と呼ばれる。リング形以外の電極形態がまた、電極として使用されてよい。]
[0049] 透過層55および57ならびに電極は、例えば、透明基板上に上記の層のうちの1つまたは複数を堆積することにより作製されうる。各層は、1つまたは複数の材料の層で形成されてよく、単一材料または材料の組合せで形成されてよい。]
[0050] 可動電極は、様々な方法で支持構造に接続されうる。例えば、いくつかの実施形態において、電極の角部は、テザーを介して支持物に取り付けられうる。]
[0051] 電極の両端に電圧が印加されない状態では、可動透過層55と固定透過層57との間に間隙が残存する。しかし、電位差が電極の両端に印加されると、静電力が電極を互いに引き付ける。電圧が十分高い場合、テザーは変形され、可動電極が固定電極に押しつけられ、それにより、電極とともに動く可動透過層57は、固定透過層55に押しつけられる。その挙動は、印加される電位差の極性に無関係に、同じである。それゆえ、空隙で離隔される2つの部分透過層の組合せが、波長範囲内の光を通す一方で、範囲外の光を吸収するために使用されうる。]
[0052] 一実施形態において、ディスプレイは、バックライトから放出された光の少なくとも一部を再利用するように構成される。例えば、バックライトから画素の非活性領域上に入射する光が、反射性黒色マスクにより反射されてバックライトに戻されうる。バックライトから画素の活性領域上に入射する光は、1つまたは複数の2つの透過層55および57で反射され、バックライトに再び入ることができる。背面反射された光は再利用可能であり、活性領域において2度目に干渉変調器配列に入ることができる。]
[0053] 図9Aは、干渉変調器が明状態にあるときの、図8の干渉変調器の波長に応じてシミュレーションされた透過率66Aを示すグラフ64Aである。明状態において、干渉変調器の中の可動層は、「アップ」位置にある。図示するように、この実施形態は、600nmと700nmとの間で、光の最大透過率68を達成する。] 図8 図9A
[0054] 図9Bは、干渉変調器が「暗」状態にあるときの、図8の干渉変調器の波長に応じてシミュレーションされた透過率66Bを示すグラフ64Bである。暗状態において、干渉変調器の中の可動層は、「ダウン」位置にある。図示するように、干渉変調器が暗状態にあるとき、実質的にすべての可視光が遮断される。実施形態によっては、「実質的にすべての」は、基板上に入射する光の90%超を含む。実施形態によっては、「実質的にすべての」は、基板上に入射する光の95%超を含む。実施形態によっては、「実質的にすべての」は、基板上に入射する光の98%超を含む。実施形態によっては、「実質的にすべての」は、基板上に入射する光の99%超を含む。] 図8 図9B
[0055] 透過型干渉変調器74の他の実施形態が、図10に示される。透過型干渉変調器74は、間隙82(例えば、空隙)で離隔された2つの光学スタック75、77を含む。固定光学スタック75は、基板層76Aと、銀層80Aと、SiO2層78Aとを含む。可動光学スタック77は、基板層76Bと、銀層80Bと、SiO2層78Bとを含む。各光学スタックにおいて、銀層80A、80Bは空隙82と境界を成し、SiO2層78A、78Bは銀層80A、80Bと基板76A、76Bとの間に挟持される。示された図10の実施形態において、SiO2層78A、78Bのそれぞれが、94nmの厚さを有し、銀層80A、80Bのそれぞれが、35nmの厚さを有する。] 図10
[0056] 図11Aは、図10に示される透過型干渉変調器のモデル化された透過率86Aを示すグラフ84Aである。図10Aのモデル化された実施形態は、2つの光学スタックを有し、それぞれが、基板層と、銀層と、SiO2層とを含む。図10に関して上で述べた通り、各銀層はおよそ35nmの厚さを有し、各SiO2層はおよそ94nmの厚さを有する。図11Aに示される例示的なモデル化された透過率は、空隙がおよそ3000Åであるときに発生する。最大透過率88Aは、およそ700nmの波長において発生する。] 図10 図10A 図11A
[0057] 図11Bは、空隙がおよそ250Åであるときの、図10の透過型干渉変調器のモデル化された透過率86Bを示すグラフ84Bである。最大透過率88Bは、およそ600nmの波長において発生する。] 図10 図11B
[0058] 図11Cは、「ダウン」状態において、空隙がおよそ150Åであるときの、図10の干渉変調器のモデル化された透過率86Cを示すグラフ84Cである。図示するように、実質的にすべての入射光が遮断され、その結果、きわめてわずかの入射光が透過される。] 図10 図11C
[0059] 図11Dは、図10の実施形態に対する達成可能なカラースペクトルを示す、モデル化されたカラープロット(「色空間色度図」)90である。外側の湾曲した境界94の内部は、人間の視覚の全域としても知られている平均的な人に見えるすべての色が存在する。人間の視覚の全域の中に、緑、赤および青それぞれの色に対応する点、92A、92Bおよび92Cが存在する。線96は、変化する間隙間隔に対する、図10の透過型干渉変調器の実施形態に対するモデル化されたスペクトル反射率を示す。] 図10 図11D
[0060] 図12Aは、図10に示される実施形態に類似する、透過型干渉変調器のモデル化された透過率のプロット106Aを示すグラフ104Aである。透過率のグラフ104Aは、2つの光学スタックを有する実施形態に基づき、2つの光学スタックのそれぞれが、基板層と、銀層と、SiO2層とを含む。図10の実施形態とは違って、図12Aのモデル化されたグラフに関与する実施形態における銀層のそれぞれが、20nmの厚さを有する。SiO2層の厚さは94nmのままである。図12Aの実施形態の例示的なモデル化された透過率のプロット106Aは、空隙がおよそ3000Åの厚さを有するときに発生する。透過型干渉変調器のこの実施形態に対する最大透過率108Aは、700nmよりわずかに大きい波長において発生する。] 図10 図12A
[0061] 図12Bは、空隙がおよそ250Åのときの、図12A(図10に示されるような形態であるが、20nmの銀層80A、Bおよび94nmのSiO2層78A、Bを有する)のモデル化されたグラフに関与する実施形態のモデル化された透過率のプロット106Bを示すグラフ104Bである。透過型干渉変調器の最大透過率108Bは、600nmよりわずかに大きい波長において発生する。] 図10 図12A 図12B
[0062] 図12Cは、「ダウン」状態において、空隙がおよそ150Åであるときに、図10に示されるものと同様であるが、20nmの銀層80A、Bおよび94nmのSiO2層78A、Bを有する干渉変調器の、モデル化された透過率のプロット106Cを示すグラフ104Cである。図示するように、実質的にすべての入射光が遮断され、その結果、きわめてわずかの入射光が、示された波長範囲にわたって透過される。] 図10 図12C
[0063] 図12Dは、図12A(図10に示されるような形態であるが、20nmの銀層80A、Bおよび94nmのSiO2層78A、Bを有する)のモデル化された透過率のグラフを生成した実施形態に対するシミュレーションされた達成可能なカラースペクトルを示す、色空間色度図110である。外側の湾曲する境界114の内部は、人間の視覚の全域としても知られている、平均的な人に見えるすべての色が存在する。人間の視覚の全域の中に、緑、赤および青それぞれの色に対応する色の点、112A、112Bおよび112Cが存在する。線116は、変化する間隙間隔に対する、図12Aのグラフ104Aを生成するために使用された、透過型干渉変調器の実施形態に対するモデル化されたスペクトル反射率を示す。] 図10 図12A 図12D
[0064] 図13は、空隙132で離隔された2つの光学スタック125、127を備える透過型干渉変調器124の他の実施形態である。固定光学スタック125は、基板層126Aと、SiC層130A、130BおよびMgF2層128A、128Bが交互に重なった層とを含む。可動光学スタック127は、基板126Bと、SiC層130C、130DおよびMgF2層128C、128Dが交互に重なった層とを含む。この実施形態において、各光学スタック125、127は、各光学スタックが、空隙132と境界を成すSiC層(それぞれ130B、130C)を有するように、基板上に配設された2つのSiC層および2つのMgF2層を有する。図示するように、各SiC層130A、130B、130C、130Dは52nmの厚さを有し、各MgF2層128A、128B、128C、128Dは99nmの厚さを有する。] 図13
[0065] 図14Aは、空隙132がおよそ2000Åであるときの、図13の干渉変調器のシミュレーションされた透過率のプロット136Aを示すグラフ134Aである。最大透過率138A(ほぼ1.0で、100%透過率)は、およそ450nmの波長において発生する。500nmと700nmとの間の波長範囲に対して、ほぼすべての入射光が遮断される。] 図13 図14A
[0066] 図14Bは、空隙132がおよそ1000Åであるときの、図13の干渉変調器のシミュレーションされた透過率のプロット136Bを示すグラフ134Bである。最大透過率138B(ほぼ1.0)は、800nmのすぐ下の波長において発生する。450nmと650nmとの間の波長範囲に対して、ほぼすべての入射光が遮断される。] 図13 図14B
[0067] 図14Cは、空隙132がおよそ500Åであるときの、図13の干渉変調器のシミュレーションされた透過率のプロット136Cを示すグラフ134Cである。最大透過率138C(ほぼ1.0)は、700nmのすぐ下の波長において発生する。450nmと600nmとの間の波長範囲に対して、ほぼすべての入射光が遮断される。] 図13 図14C
[0068] 図14Dは、図13の実施形態に対して達成可能なカラースペクトルを示す、シミュレーションされた色空間色度図140である。外側の湾曲する境界144の内部は、人間の視覚の全域としても知られている、平均的な人に見えるすべての色が存在する。人間の視覚の全域の中に、緑、赤および青それぞれの色に対応する色の点、142A、142B、142Cが存在する。線146は、変化する間隙間隔に対する、図13の透過型干渉変調器124のモデル化されたスペクトル反射率を表す。] 図13 図14D
[0069] [投写IMOD]
投写ディスプレイシステムは、IMOD変調器を含むことができる。投写ディスプレイの属性は、特に、IMOD特性に適合されうる。]
[0070] 今日用いられている2つの一般的な空間光変調器(SLM)は、液晶表示器(LCD)およびディジタルマイクロミラーデバイス(DMD)である。いくつかの異なる種類のLCDが用いられている一方で、DMD(登録商標)は、Texas Instruments社により供給されるユニークなデバイスである。3種類の一般的なLCDは、2枚のガラス板に基づく透過型と、2枚のガラス板に基づく反射型と、シリコン基板に接着されたガラス板に基づく反射型とである。反射型の種類の後者は、通常、シリコン上液晶(LCOS)デバイスと呼ばれる。]
[0071] すべての液晶デバイスは、(1)偏光の使用、(2)低開口率という現実、および/または(3)平行板液晶構造を生成するために使用される材料の本質的に低い光透過率により、光スループットが不十分であるという欠点を有する。さらに、継続的に改良してはいるが、LCD材料の応答時間は、ビデオ速度に対して低い場合がある。上述のTexas Instrumentsのデバイスは、本質的により高い光スループットおよび速い応答時間の両方を含む利点を有する。したがって、Texas Instrumentsのデバイスは、シリコン基板上に作製可能であり、そのデバイスは小型で、コストを低く保つことができる。このことが、低開口率をもたらす。また、最も一般的なDMDベースの製品は、別々に赤、緑および青のチャネルを変調するための3つのデバイス使用する必要性を避けるために、1つのデバイスを色彩場逐次方式で使用する。上の要因が、LCDベースのプロジェクタに見られる程度の照明の不十分さをもたらす。実際、競合するLCDとDMDの製品を見ると、それぞれの性能は、全体的に同じであることが分かる。それぞれの性能は十分であるとみなされ、両製品の需用は強い。]
[0072] それにもかかわらず、これらの変調器のコストを下げ、投写システム全体のコストを下げ、電力消費を減少させることは望ましい。これらの目標のそれぞれは、照明システムがより効率的であるならば、達成されうる。]
[0073] 上述のように、コストは、単一デバイスを使用すること(Texas Instruments)、およびLCD寸法を小さく保つこと(様々なメーカー)により、下げられてきた。これらの方法は性能を限定するが、電力消費を下げるという目標に逆行する。さらに、プロジェクタ構成における広範囲の革新が成されてきた。不都合には、新しい構成は、ほんのわずかの性能向上を得るために、甚だしい設備更新コストを含む可能性がある。]
[0074] 図15〜図18は、IMODデバイスを反射型および透過型の投写システムの中に組み込むための4つの異なる方法を示す。図19A〜図19Dは、IMOD変調器を透過型投写システムにおいて使用するために適用できる4つの代替の方法を示す。システムは、図15〜図18に示され、以下に論じられる種類のうちの1つでありうる。IMOD構成は、システム内の構成的形態に対してかなり不可知論的である可能性がある。このことは、現在の変調器タイプが、他のものよりも特定の構成を選択するので、利点となりうる。したがって、いくつかの実施形態において、IMODデバイスは、グレースケールを達成するために、面積変調方式(直視型IMODディスプレイにおいて使用されるものなど)またはパルス幅変調方式(DMDで使用されるものなど)のいずれかにおいて、動作される。] 図15 図16 図17 図18 図19A 図19B 図19C 図19D
[0075] 図15は、透過型IMOD投写デバイス200を示す。デバイス200は、透過型干渉変調器(「IMOD」)204および一連のレンズを通る光を伝播するように構成された光源202を含む。いくつかの実施形態において、光源202はランプである。図15に示されるように、光源202からの光は、透過型IMOD204の背面に入る前に、第1のレンズ206Aおよび第2のレンズ206Bを通過する。透過型IMOD204を通過後、光は、第3のレンズ206Cおよび第4のレンズ206Dを通過する。透過型IMOD204は、レンズ206Aおよび206Bの組合せの後焦点面に配置され、その焦点面は、レンズ206Aおよび206Bの組合せのフーリエ変換面に相当する。したがって、図15の例示的実施形態において、第1のレンズ206Aおよび第2のレンズ206Bは、光源202のフーリエ変換に相当する、透過型IMOD204上の照明パターンを作り出す。したがって、事実上点源である光源202は、例えば、有利には、均一な照明パターンをIMODアレイ204上に作り出す。光源202の配光のフーリエ変換は、配光を変調する透過型IMOD204を通して透過される。変調された配光は、透過型IMOD204を視認のための投写スクリーン上に映すように配設されたレンズ206Cおよび206Dを通して伝播する。この実施形態において、第3および第4のレンズ206Cおよび206Dはまた、IMOD204の反転画像を投写スクリーン上にもたらすように構成される。] 図15
[0076] 図16は、別の透過型IMOD投写デバイス220の上面図を示す。デバイス220は、光源222と、透過型IMOD224A、224B、224Cと、レンズ226A、226B、226Cと、2色フィルタ228A、228Bと、ミラー230A、230B、230Cとを含む。動作において、光は、光源222から伝播され、第1の2色フィルタ228Aにより波長で分割される。例示的実施形態において、赤色光が第1の2色フィルタ228Aを通過し、その光が、次いで、第1のミラー230Aに当たり、第1の透過型IMOD224Aに向かって反射される。緑色光および青色光が、第1の2色フィルタ228Aにより、第2の2色フィルタ228Bに向かって反射される。緑色光が、第2の2色フィルタ228Bで反射され、第2の透過型IMOD224Bに入る。青色光が、第2の2色フィルタ228Bを通過し、次いで、第2のミラー230Bで初めて反射される前に第1のレンズ226Aを通過し、次いで、第3の透過型IMOD224Cに入る前に第3のミラー230Cで反射される。] 図16
[0077] 第1の透過型IMOD224Aを通過する赤色光、第2の透過型IMOD224Bを通過する緑色光、および第3の透過型IMOD224Cを通過する青色光はすべて、結合キューブ232の中で再結合される。結合キューブ232を出た光は、第2のレンズ226Bおよび第3のレンズ226Cから成るレンズ群で反転され、焦点に導かれる。いくつかの実施形態において、結合キューブ232は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第2005/0157265号に開示される種類の色回転子構成を使用する。色回転子構成は、赤、緑および青の光の成分を組み合わせて、結合キューブ232を出る白色光にするために、偏光回転フィルムまたはノッチフィルムで離隔された複数の透明キューブを使用する。いくつかの実施形態において、透明キューブは、反射防止膜で覆われる。図19Aは、色回転子構成300を示す等角投影図である。] 図19A
[0078] いくつかの実施形態において、個別の赤色、緑色および青色のビームが、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許第5416514号に開示される種類の回転プリズムキューブの使用により、幾何学的領域ではなく経時的領域の中で組み合わされる。プリズム組立体は、4つの等しい平らな側面を有し、その中央縦軸周りに回転させられる。プリズム組立体の回転により、赤、緑および青の色帯域が、屈折により、逐次的に下向きに(または、上向きに)スキャンされる。図19Bは、この種類の回転するプリズム組立体構成310を示す側平面図である。] 図19B
[0079] いくつかの実施形態において、経時的結合は、赤、緑および青の光を組み合わせるための回転円盤構成を使用して達成される。回転円盤構成のいくつかの種類が、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許第6870581号に開示されている。図19Cは、回転円盤構成320を示す立面の側面図である。図示するように、回転円盤構成320は、円盤の回転を可能にする心棒を有する円盤である。その素子は、赤、青および緑の色帯域を、視認平面全体に非常に速く移動させて、視認者が動きの産物であることを感じず、表示された色が、たとえ個別のビームが互いに位相を外していたとしても、完全に組み合わされているように見えるのに十分な速さでスピンする。] 図19C
[0080] いくつかの実施形態において、結合キューブ232は、カラープリズム構成を使用する。上で参照された構成と同様に、カラープリズム構成を使用して、赤、緑および青の光を組み合わせ、結合キューブ232を単一の方向に出る白色光とする。いくつかの種類のカラープリズム構成が、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第2003/0081178号に開示される。図19Dは、1つの種類のカラープリズム構成330を示す上面図である。] 図19D
[0081] 図17は、反射型IMOD投写デバイス240の上面図を示す。デバイス240は、光を、偏光子244を通して伝播させ、偏光ビームスプリッタ250に入るように構成された光源242を含む。偏光された光が偏光ビームスプリッタ250に入り、反射されてビームスプリッタの外に出て、1/4波長板248に至る。偏光された光は1/4波長板で部分的に回転され、次いで、IMOD252に衝突し、IMOD252から反射する。光は、1/4波長板を2度通過し、次いで、進行して偏光ビームスプリッタに入る。2度の1/4波回転およびIMODにおける反射を経て、光は、ビームスプリッタ250を真っ直ぐに通過して外に出る。第1のレンズ246Aおよび第2のレンズ246Bを含むレンズ群は、投写デバイス240から出る光を反転し、焦点に導く。] 図17
[0082] 図18は、前面が立ち上がったIMOD投写デバイス260の一実施形態の側平面図を示す。光は、光源262から伝播され、反射型IMOD264から、光がデバイス260を出るときに光を反転し合焦するように構成された、第1のレンズ266Aおよび第2のレンズ266Bを含むレンズ群に向かって反射される。] 図18
[0083] 照明源の発散角はプロジェクタにおいて制御されうるので(周囲の光で照明される直視形ディスプレイの状況に反して)、拡散フィルムを、投影に使用されるIMODディスプレイに添付する必要はない。実際には、入射光角度にわたるIMODの色依存性が、投影の状況に利用されうる。非常に細いビームは、高度に飽和した色をもたらすことができ、より広いビームは、より明るく、飽和度の低い色をもたらすことができる。システム設計者は、この状況に基づいて交換することができる。これは、より広い角度のビームが、より低いコントラスト比および黒レベルの劣化という犠牲を払うが、より明るい色をもたらすことができるという、現在のプロジェクタにおけるものとは異なる状況である。]
[0084] 投写システムは、透過型IMODSLMを使用し得る直視形ディスプレイの設計に挑戦する前面反射の種類とは格別であるので、透過型IMODディスプレイはとりわけ効率的でありうる。]
[0085] 大きなガラス板の上に作製される低コストのIMODSLMは、別の設計上の利点を提供する。非常に小さい寸法(DMDおよびLCOSデバイスが、そうであるような)に対するコストに制約されずに、競合する技術の手が届かないほどの高いビット深度を達成するために、より大きなパネルが面積変調を利用するように使用されうる。]
[0086] IMODは光学スタックから始まるので、作製上の経済性を取り入れることができる。大抵のプロジェクタは、不必要な熱をSLMに伝達することを避けるために、照明用光学システムの中にコールドミラーを有する。いくつかの実施形態において、最終的なプロジェクタ組立体における部品総数を削減するために、コールドミラーをIMODの前面の一部として作製することができる。]
[0087] 投写用途において、IMODは、SLM寸法上の著しい制約を有しない。より小さいSLMは、通常、より小さい投写システムをもたらすが、極端に小さいことが、大きな投写システムの中で特別な利点を有することはない。IMOD SLMは、あらゆる用途に適用される寸法であることができる。このことが、あらゆる用途において、最適な性能を可能にする。]
[0088] IMODは、コントラスト比性能に直接強い影響を与えることなく、色性能をトレードオフすることができる。]
[0089] IMODは、面積アレイ変調およびパルス幅変調の両方の可能性を有する。このため、デバイスが高電力および低電力の両用途に対して最適化される。]
[0090] [大スクリーンディスプレイ用誘電体干渉変調器]
大スクリーンIMODディスプレイデバイスは、テレビおよびコンピュータモニタと接続して使用されうる。いくつかの実施形態では、これらのデバイスは、電力供給(100〜110VAC、または200V超、例えば英国または欧州において)と接続されるため、電力は、携帯型のバッテリ駆動のデバイスに課せられる制約に比較すると、重要性は小さい。いくつかの実施形態において、ディスプレイは、パルス幅変調技術を使用してグレースケールを達成することができる。いくつかの実施形態において、パルス幅変調駆動は、短いフレームタイムおよび/または高導電性の行および列のトレースを必要とする。いくつかの実施形態において、デバイスは、バックライト付きデバイスである。いくつかの実施形態において、デバイスは、多層フィルムスタックを有する透過型IMODを含む。]
[0091] いくつかの実施形態において、IMODは、各画素において選択された色帯域を透過する一方で、すべての他の波長を反射するように、2つの誘電体ミラーを(金属ミラーの代わりに)使用することができる。これらの変調器素子のアレイを協調設計されたバックライトとともに使用して透過型バックライト付きディスプレイを形成することができる。]
[0092] 大きな直視型ディスプレイは、ほとんど例外なく自己発光型またはバックライト付きである。そのようなディスプレイ、特にテレビ用途に設計されたディスプレイは、多くの場合、暗い周囲照明条件のもとで使用される。反射型ディスプレイはフロントライトを含む可能性があり、大きな対角線スクリーンに適用されるとフロントライト性能が悪化するため、これらの用途において、反射型ディスプレイは不利となる。反射型IMODディスプレイを背面から照明する方法はあるが、それらは不十分であり、IMODの性能を低下させる傾向がある。]
[0093] 反射型IMODに対して、様々な現在のバックライト方法がある。第1の方法は、IMOD基板の前面上に、内側を向いた反射器を配置し、IMOD画素を取り巻く小さな開口を通して、バックプレートの後ろから光を出すことにより、内側を向いた反射器を照明することを含む。そのような光は、次いで、画素の上に反射されうる。この方法は、おそらく、画素の端を照明するだけである可能性がある。この方法は不十分であり、視認可能な中抜き(coring)の影響を引き起こす可能性がある。]
[0094] 第2の方法は、IMOD基板の前面上に後ろ向きエミッタを配置することを含む。これは、論理的に複雑で、IMODの光学的性能を損なう可能性があり、好ましい視認が未だもたらされていない。]
[0095] 後方からの光をIMODの前方に管で送るIMOD構造(支柱など)を使用する方法も存在するが、そのような方法はすべて、設計に妥協をもたらす。]
[0096] 図20は、背面バス354および透明基板356を含む大スクリーンディスプレイ350の一実施形態の側面断面図を示す。いくつかの実施形態において、透明基板356は、ガラスを含む。図20に示されるように、1つまたは複数の高い支柱358が、透明基板356と背面バス354とを接続する。1つまたは複数の固定光学スタック360が、透明基板356と背面バス354との間で、透明基板356上に配設される。1つまたは複数の可動光学スタック362がまた、透明基板356と背面バス354との間に配置される。1つまたは複数の可動光学スタック362上の接続リング364が、透明基板356に取り付けられている低い柱366に接続される。図20に示されるように、図7A〜図7Eに示されるものと類似の構成において、現在の反射ミラーを誘電体ミラー354で置き換えることができる。いくつかの実施形態では、光学スタックは、単一の複雑な光学スタックを含むように変更される。その結果得られた、空隙で離隔される2つの光学スタックの組合せは、1つの波長帯域を通す一方で、他のすべての波長を反射するように組み合わせることができる。] 図20 図7A 図7B 図7C 図7D 図7E
[0097] 図7A〜図7Eに示されるものに類似する構成の機械層は、ミラーを支えるというその通常の目的を果たし、また、バネに復元力をもたらす。また、この層は、誘電体ミラーの一部を覆い、基板上の同様の形状の電極により引きつけられうる導電性電極を形成する。いくつかの実施形態において、電極はリング形である。他の実施形態において、電極はリング形ではない。] 図7A 図7B 図7C 図7D 図7E
[0098] 従来のIMODにおけるように、光学スタック(1つまたは複数の固定光学スタック360および1つまたは複数の可動光学スタック362)は、2つの誘電体スタックが共に引き合うときに、共振波長が可視スペクトルの外に移動し、ミラーが視認者の眼に黒く映るように設計される。1つまたは複数の固定光学スタック360および1つまたは複数の可動光学スタック362の組合せによって、その特定の画素から得られる色が生成されうる。1つまたは複数の固定光学スタック360および1つまたは複数の可動光学スタック362の両方が、透明な開口の周りの領域を覆う導電性の外部リングを有する透明な中央開口を含んでよい。外部リングは電極として作用し、静電引力を介して可動光学スタック362を固定光学スタック360の近くに引き寄せる。背面バス354は、高伝導率をもたらすように構成される。いくつかの実施形態では、かなりの面積が電極、柱、およびバスにあてられるので、前面バスを含んでよい。]
[0099] 図21は、大スクリーンディスプレイ370の他の実施形態の側面断面図を示す。大スクリーンディスプレイ370は、バックライト374と、背部透明層376と、前部透明層378とを含む。いくつかの実施形態において、背部透明層376および前部透明層378は、ガラスを含む。1つまたは複数の固定光層380が、前部透明層378上に配設される。1つまたは複数の移動光学層382が、接続リング384により互いに接続される。柱は、背部透明層376を前部透明層378に接続する。図21において、吸収性黒色マスク390が、コントラスト比を改良するために、前部透明層378上に配設されることが示され、反射性黒色マスク392が、バックライトからIMODの背部に入る光が画素の非活性領域に到達するのを防ぐために、背部透明層376上に配設されることが示される。反射性黒色マスク392の反射特性が、光の再利用を増強する。] 図21
[0100] いくつかの実施形態において、前部透明層378が、不要な光が前部から非活性領域に入ることを防ぐように、およびこれらの領域に入った光が前部に出ることを防ぐように構成された吸収性黒色マスクで完全に覆われる。いくつかの実施形態において、反射性黒色マスク392は、バックライトからの光だけが、画素の活性領域に入ることを確実にするように構成される。いくつかの実施形態において、バックライト374は、現在の活性領域ディスプレイにおける制限を補償するためのバックライトの再利用である。いくつかの実施形態において、バックライト374は、活性領域に当たらない光をもたらすように構成される。いくつかの実施形態において、バックライト374は、活性領域に当たる光、および/またはバックライトに再入し、反射されてIMODに2度入る機会を有する、前記光の波長を選択する光をもたらすように構成される。結局、この光は、適切な活性領域に当たる機会を有する。そのようなバックライトが図22に示される。] 図22
[0101] 図22は、光学スタック402を備える大スクリーンディスプレイ400の別の実施形態の側面断面図を示す。光学スタック402は、反射器層404と、反射器層404を覆って配設された光誘導板406と、光誘導板406を覆って配設された角度転換フィルム408とを含む。光誘導板は、その上面から角度転換フィルムに向かって光を放出するように設計されている。反射器層404は、IMOD414から反射された光の再利用、および光誘導板406の上面から散乱された光の方向変換をもたらす。光は、反射器層404から光誘導板406および角度転換フィルム408を通って進行し、次いで、輝度フィルム412に入る前に間隙410を横切る。輝度フィルム412は、光を平行にし、光の再利用に役立つように構成される。輝度フィルム412を通過した光は、次いで、大スクリーンディスプレイ400から出る前に、透過型IMOD414に入る。] 図22
[0102] 図23には、画素レイアウト420の上面図がより詳細に示される。画素レイアウト420は、移動光学スタック422と、複数の柱424と、電極リング426とを含む。電極リング426は、電極リング426の中心に開口428を含む。柔軟性のある機械層が、移動光学スタック422を複数の柱424に接続する。機械層は、移動光学スタック422の背部上にパターン化され、電極リング426を形成する。同様の電極リングが、基板上にパターン化されうる。いくつかの実施形態において、誘電体ミラーを充填してよく、電極部を可能な限り小さく作製してよく、グレースケールを生成するためにパルス幅変調を使用してよい。高速のパルス幅変調は、高コンダクタンスの行および列のトレースを必然的に含み、そのため、バックサイドバスを使用することができる。バックプレートを、バックサイドバスのリード線を支持するために使用される柱の最上の層に直接適用してよい。このことにより、きわめて小さい基板間間隙しか残らず、その小さい基板間間隙が、密封されたパッケージングを達成するために、その構造をリフロー金属のエッジシールを用いて組み立てることを可能にする。] 図23
[0103] 画素の「ブルズアイ(bulls−eye)」的特性により、小型レンズアレイを画素に整列させることが望ましい。この場合、バックプレートおよび小型レンズ配列を一体に作ることが好ましい。]
[0104] 好ましい実施形態において、バックライト付きフラットパネルTVが、大部分が(比較的コストの低い)既存のIMOD作製方法を用いて作製されうる。いくつかの実施形態(図20〜図23に示されるものなど)において、2つの誘電体光学スタックは、互いに離れるときに、可視スペクトルにおける好ましい波長帯域を通し、互いに隣接するときに、可視スペクトルの外のスペクトル領域における1帯域または複数帯域を通すように機能することができる。いくつかの実施形態において、吸収されるのではなく通過しない光が、反射されてバックライトの中に戻る。いくつかの実施形態において、バックライトは、再使用するための光を、統計的に再利用するように設計され、または、バックライトは、排除された光が隣接する画素に好適に反射するように、明確に設計されうる。いくつかの実施形態において、IMODの背部上の反射性マスクを使用する代わりに、マイクロレンズアレイが、入射光をマイクロレンズアレイの透明な活性開口の中に収斂させるために使用される。] 図20 図21 図22 図23
[0105] 前述の説明は、ある実施形態を詳述する。しかし、前述の事項が、文章の中でいかに詳細であるように見えるとしても、本明細書の中で説明された教示は、補足的な方法で実施されうる。ある特性または態様を説明するときに特定の専門用語を使用する場合、専門用語が関連する特性または態様の何らかの具体的な特徴を含むことを限定するようにその専門用語が本明細書の中で再定義されることを暗示するものではない。さらに、多くの用途が、本開示のデバイスに対して可能である。様々な改変形態および変更形態が、本発明の範囲を逸脱することなく、成されうることが理解されよう。そのような改変形態および変更形態は、添付の特許請求の範囲により定義されるように、本発明の範囲の中に入ることが企図される。]
[0106] 12a、12b干渉変調器
14、14a、14b可動反射層
16、16a、16b光学スタック
18 柱
19間隙
20 透明基板
21プロセッサ
22 配列ドライバ
24行ドライバ回路
26列ドライバ回路
27ネットワークインターフェース
28フレームバッファ
29ドライバコントローラ
30ディスプレイ配列
32テザー
34 変形可能層
40ディスプレイデバイス
41ハウジング
42支柱プラグ
43アンテナ
44バス構造
45スピーカ
46マイクロフォン
47トランシーバ
48入力デバイス
50電源
52 調整ハードウェア
54透過型干渉変調器
55 固定光学スタック
56A、56B 透明基板
57 移動光学スタック
58透明電極層
60A、60B銀層
62 間隙
64A、64Bグラフ
66A、66Bシミュレーションされた透過率
68最大透過率
74 透過型干渉変調器
75 固定光学スタック
76A、76B 基板
77可動光学スタック
78A、78B SiO2層
80A、80B 銀層
82 空隙
84A、84B、84C グラフ
86A、86B、86Cモデル化された透過率
88A、88B 最大透過率
90 モデル化されたカラープロット(色空間色度図)
92A 緑に対応する点
92B 赤に対応する点
92C 青に対応する点
94境界
96 線
104A、104B、104C グラフ
106A、106B、106C モデル化された透過率のプロット
108A、108B 最大透過率
110 色空間色度図
112A 緑に対応する点
112B 赤に対応する点
112C 青に対応する点
114 境界
116 線
124 透過型干渉変調器
125 固定光学スタック
126A、126B 基板
128A、128B、128C、128D MgF2層
130A、130B、130C、130DSiC層
132 空隙
134A、134B、134C グラフ
136A、136B、136C シミュレーションされた透過率のプロット
138A、138B、138C 最大透過率
140 色空間色度図
142A 緑に対応する点
142B 赤に対応する点
142C 青に対応する点
144 境界
146 線
200透過型IMOD投写デバイス
202光源
204 透過型干渉変調器
206A 第1のレンズ
206B 第2のレンズ
206C 第3のレンズ
206D 第4のレンズ
220 透過型IMOD投写デバイス
222 光源
224A、224B、224C 透過型IMOD
226A、226B、226C レンズ
228A、228B 2色フィルタ
230A、230B、230Cミラー
232 結合キューブ
240反射型IMOD投写デバイス
242 光源
244偏光子
246A 第1のレンズ
246B 第2のレンズ
248波長板
250偏光ビームスプリッタ
252 IMOD
260 IMOD投写デバイス
262 光源
264 反射型IMOD
266A 第1のレンズ
266B 第2のレンズ
300 色回転子構成
310 回転するプリズム組立体構成
320回転円盤構成
330カラープリズム構成
350 大スクリーンディスプレイ
354 背面バス
356 透明基板
358 高い柱
360 固定光学スタック
362 可動光学スタック
364接続リング
366 低い柱
370 大スクリーンディスプレイ
374バックライト
376背部透明層
378 前部透明層
380 固定光層
382 移動光層
384 接続リング
390 吸収性黒色マスク
392反射性黒色マスク
400 大スクリーンディスプレイ
402 光学スタック
404反射器層
406光誘導板
408 角度転換フィルム
410 間隙
412輝度フィルム
414 透過型IMOD
420画素レイアウト
422 光学スタック
424 柱
426電極リング
428 開口]
权利要求:

請求項1
基板と、前記基板の上の光学スタックと、部分反射ミラーを備え、第1の位置から第2の位置に動くように構成された、前記光学スタックの上の可動膜とを備え、前記第1の位置にある前記可動膜により、透過型微小機械デバイスが所定の色の光を通すように構成され、前記第2の位置にある前記可動膜により、前記微小機械デバイスが、前記基板上に入射する実質的にすべての光を遮断するように構成されている、透過型微小機械デバイス。
請求項2
前記微小機械デバイスが、前記基板上に入射する光の少なくとも90%を遮断するように構成されている、請求項1に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項3
前記微小機械デバイスが、前記基板上に入射する光の少なくとも95%を遮断するように構成されている、請求項1または2に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項4
前記微小機械デバイスが、前記基板上に入射する光の少なくとも98%を遮断するように構成されている、請求項1から3のいずれか一項に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項5
前記微小機械デバイスが、前記基板上に入射する光の少なくとも99%を遮断するように構成されている、請求項1から4のいずれか一項に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項6
前記第2の位置にある前記可動膜により、前記可動膜が、所定の波長の光を通すように構成された光干渉キャビティを少なくとも部分的に画定し、前記微小機械デバイスが他の波長の光を吸収するように構成された吸収層を備える、請求項1から5のいずれか一項に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項7
前記吸収層が半導体を含む、請求項6に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項8
誘電体材料を含む機械層をさらに備える、請求項1から7のいずれか一項に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項9
前記誘電体材料がSiNまたはSiO2を含む、請求項8に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項10
前記誘電体材料の上部に配設された金属の薄層をさらに備える、請求項8に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項11
前記金属の薄層がAuまたはAgを含む、請求項10に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項12
前記基板が透明基板を含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項13
前記ミラーが柔軟性のある銀で覆われた膜を備える、請求項1から12のいずれか一項に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項14
光源と、前記微小機械デバイスを出る光を合焦するように構成されたレンズとをさらに備える、請求項1から13のいずれか一項に記載の透過型微小機械デバイス。
請求項15
間隙により選択可能に離隔された第1の光学スタックおよび第2の光学スタックを備え、前記第1の光学スタックが実質的に透明な基板と、少なくとも1つの低屈折率層と、少なくとも1つの高屈折率層とを備え、前記第2の光学スタックが実質的に透明な基板と、少なくとも1つの低屈折率層と、少なくとも1つの高屈折率層とを備える、透過型機械デバイス。
請求項16
前記少なくとも1つの低屈折率層がMgF2を含む、請求項15に記載の透過型機械デバイス。
請求項17
前記少なくとも1つの高屈折率層がSiCを含む、請求項16に記載の透過型機械デバイス。
請求項18
前記第1の光学スタックが2つのMgF2層と2つのSiC層とを備え、第1のMgF2層が前記基板上に配設され、第1のSiC層が前記第1のMgF2層上に配設され、第2のMgF2層が前記第1のSiC層上に配設され、第2のSiC層が前記第2のMgF2層上に配設されている、請求項17に記載の透過型機械デバイス。
請求項19
前記第2の光学スタックが2つのMgF2層と2つのSiC層とを備え、第1のMgF2層が前記基板上に配設され、第1のSiC層が前記第1のMgF2層上に配設され、第2のMgF2層が前記第1のSiC層上に配設され、第2のSiC層が前記第2のMgF2層上に配設されている、請求項18に記載の透過型機械デバイス。
請求項20
光源と、前記透過型機械デバイスを出る光を合焦するように構成されたレンズとをさらに備える、請求項15から19のいずれか一項に記載の透過型機械デバイス。
請求項21
第2の光学スタックと間隙で離隔された第1の光学スタックを備え、前記第1の光学スタックが、ガラス基板と、2より大きい屈折率を有する少なくとも1つの材料と、1.3未満の屈折率を有する少なくとも1つの材料とを含み、前記第2の光学スタックが、2より大きい屈折率を有する少なくとも1つの材料と、1.3未満の屈折率を有する少なくとも1つの材料とを含む、透過型機械デバイス。
請求項22
より高い相対屈折率を有する第1の材料が、より低い相対屈折率を有する第2の材料を挟持する、請求項21に記載の透過型機械デバイス。
請求項23
挟持層と中間層との屈折率の間の差が最大化された、請求項22に記載の透過型機械デバイス。
請求項24
少なくとも1つの層が誘電体を含む、請求項21から23のいずれか一項に記載の透過型機械デバイス。
請求項25
少なくとも1つの層が半導体を含む、請求項21から23のいずれか一項に記載の透過型機械デバイス。
請求項26
各層の厚さが、前記基板上に入射する光の波長の25%より大きい、請求項21から25のいずれか一項に記載の透過型機械デバイス。
請求項27
光源と、前記透過型機械デバイスを出る光を合焦するように構成されたレンズとをさらに備える、請求項21から26のいずれか一項に記載の透過型機械デバイス。
請求項28
透明基板と、前記透明基板上に配設された第1の反射面と、可動膜上の第2の反射面とを備え、前記第2の反射面および前記第1の反射面が可変光キャビティを形成する、透過型干渉変調器(「IMOD」)。
請求項29
前記第1の反射面が、2.0より大きい屈折率を有する材料を含む、請求項28に記載の透過型IMOD。
請求項30
前記第1の反射面がAu、AgまたはSiCを含む、請求項28または29に記載の透過型IMOD。
請求項31
前記可動膜が第1の位置から第2の位置に動くことによって、前記可変光キャビティが調節される、請求項28から30のいずれか一項に記載の透過型IMOD。
請求項32
前記可動膜が前記第1の位置にあるとき、MEMSデバイスが紫外光域または赤外光域の中の、可視領域の外の波長の透過を可能にする、請求項28から31のいずれか一項に記載の透過型IMOD。
請求項33
前記可動膜が前記第1の位置にある場合、半導体が、入射可視光の実質的に全波長範囲を吸収する、請求項28から32のいずれか一項に記載の透過型IMOD。
請求項34
入射光の前記全波長範囲が特定の波長である、請求項28から32のいずれか一項に記載の透過型IMOD。
請求項35
前記可動膜がおよそ300nmにおける前記第1の位置にある場合、ピーク透過がおよそ650nmである、請求項28に記載の透過型IMOD。
請求項36
前記可動膜が前記第2の位置にある場合、ピーク透過がおよそ450nmである、請求項28に記載の透過型IMOD。
請求項37
直線偏光子をさらに備える、請求項28から36のいずれか一項に記載の透過型IMOD。
請求項38
光アイソレータをさらに備える、請求項28から37のいずれか一項に記載の透過型IMOD。
請求項39
光源と、前記透過型IMODを出る光を合焦するように構成されたレンズとをさらに備える、請求項28から38のいずれか一項に記載の透過型IMOD。
請求項40
透明基板と、前記透明基板上に配設された第1の反射面と、第2の反射面と前記第1の反射面とが可変光キャビティを形成する可動膜上の第2反射面であって、IMODが、第1の位置に配設された前記第1の反射面により所定の色の光を通すように構成されている第2反射面と、第2の位置に配設された前記第1の反射面により、前記基板上に入射する実質的にすべての可視光を吸収するように構成された半導体層とを備える、透過型干渉変調器(「IMOD」)。
請求項41
光源をさらに備える、請求項40に記載の透過型IMOD。
請求項42
前記透過型IMODを出る光を合焦するように構成されたレンズをさらに備える、請求項40または41に記載の透過型IMOD。
請求項43
光を画素の上に合焦するように構成されたレンズをさらに備える、請求項40から42のいずれか一項に記載の透過型IMOD。
請求項44
前記レンズがレンズのアレイを備える、請求項43に記載の透過型IMOD。
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